當(dāng)今在移動設(shè)備領(lǐng)域,智能手機的組件發(fā)展迅速,在過去幾年時間里發(fā)生了質(zhì)的變化。比如,AMR 處理器從單核256MHz發(fā)展到超過1GHz頻率和核心,顯示屏從320×240像素飛躍至2K級別,攝像頭也從 300 萬像素升級到了恐怖的4100萬像素。雖然RAM還在一點一點的增加,電池技術(shù)似乎沒有太大改變,但是下一個發(fā)生巨變的很有可能就是內(nèi)置的儲存空間。

　　7月25 日消息,今日,來自萊斯大學(xué)（Rice University）的研究小組公布了他們最新針對儲存的研發(fā)成果,據(jù)稱一種新型的可變阻式 RAM（RRAM）已經(jīng)研發(fā)成功,并且具備功耗小,不易發(fā)熱等特點,壽命是常規(guī)類型的100倍,超高的密度是現(xiàn)有的閃存密度高 50 倍,允許在僅一枚郵票大小的空間里容納1TB容量的數(shù)據(jù)。

　　萊斯大學(xué)的研究小組介紹稱,硅是地球上最豐富的元素,關(guān)于它的研究也最多,于是才考慮將硅作為RRAM的介電元件。得益于新的材料多孔氧化硅,降低了成型電壓,提高了可制造性,使該新型RRAM儲存可在常規(guī)的制造方法下制造。換句話說,常規(guī)制造成本等因素不變,但提高了儲存的容量。

　　早在2010年,研究成員之一的化學(xué)家詹姆斯便已開始鉆研,他所成立的研究小組就已發(fā)現(xiàn)了氧化硅用于制造導(dǎo)電細絲的途徑,隨著這扇研發(fā)之門的打開,將其當(dāng)作RRAM材料思路便產(chǎn)生了。他表示,新RRAM還是三層結(jié)構(gòu)的設(shè)計,不過二氧化硅層成為了兩個電極之間中間的交換介質(zhì),讓硅填充間隙,之后再通過電壓脈沖來在硅間隙上存儲數(shù)據(jù)。

　　該研究小組堅信新型RRAM的未來一片光明。“它可以在室溫下制造,具有極低的形成電壓、低功耗、高開關(guān)比等特性,不僅每個存儲單元可以存放9個字節(jié),而且還擁有出色的開關(guān)速度和耐用性�！�

　　目前才用新制造商技術(shù)的新型RRAM已經(jīng)引起了幾個廠商的興趣,不久之后將考慮技術(shù)授權(quán),這意味著未來幾年還會有更多的廠商參與其中,屆時我們將與傳統(tǒng)的閃存說再見,取而代之的將是高達1TB的RRAM。