預(yù)計(jì)二季度起將全面反映DRAM漲勢。

　　據(jù)臺灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道,存儲器模塊業(yè)者傳出,三星電子、美光等存儲器大廠,正規(guī)劃今年第一季將DRAM價(jià)格調(diào)漲15%-20%,從1月起執(zhí)行,借此催促客戶提前規(guī)劃未來使用需求量。已有廠商透露收到三星的漲價(jià)預(yù)告。

　　業(yè)界人士稱,上游原廠漲價(jià)焦點(diǎn)將從NAND轉(zhuǎn)移至DRAM,DDR4、DDR5有望成下一波調(diào)漲重點(diǎn),以加速改善營運(yùn)虧損。至于DDR3,其產(chǎn)能及需求相對穩(wěn)定,預(yù)計(jì)漲幅相對平緩。

　　業(yè)界預(yù)期,隨著上游原廠醞釀提價(jià)DRAM,多家存儲器模塊業(yè)者各自收到風(fēng)聲啟動(dòng)備貨,預(yù)計(jì)供貨給OEM廠的合約價(jià)可望延后一個(gè)季度跟進(jìn),即二季度起將全面反映DRAM漲勢。

　　存儲芯片市場以DRAM和NAND Flash為主,此前NAND Flash的價(jià)格從2023年下半年一路上漲,而DRAM報(bào)價(jià)漲幅較少,2023年12月DRAM報(bào)價(jià)僅微幅調(diào)漲2%-3%,明顯低于3D TLC NAND約10%的漲幅。

　　對于上游原廠計(jì)劃在一季度啟動(dòng)DRAM補(bǔ)漲行情,存儲器模塊業(yè)者表示并不意外,目前市場需求尚未恢復(fù)穩(wěn)定,DRAM報(bào)價(jià)調(diào)漲仍然由上游原廠主導(dǎo),行業(yè)已有預(yù)期,近月來已陸續(xù)回補(bǔ)低價(jià)庫存。

　　至于未來DRAM漲幅能否如同NAND Wafer強(qiáng)勁攀升,仍需觀察后續(xù)市場需求。報(bào)道稱,終端市場仍存在觀望氣氛,前兩個(gè)季度的市場表現(xiàn)非常關(guān)鍵,若主要應(yīng)用出�？谛枨箜樌�銜接,存儲器前景才會比較確定。

　　供給方面,業(yè)界指出,無論是DRAM或是NAND,2023年Q4上游供貨狀況并不緊缺,“前提是要能夠接受原廠提出的價(jià)格,只要價(jià)格對了,原廠都有貨可以賣�！�

　　這一背景下,削減產(chǎn)能仍然是原廠重要的保價(jià)策略。2023年下半年,韓系DRAM大廠一直在降低DRAM稼動(dòng)率,同時(shí)逐步增加高端制程的產(chǎn)出,以三星為例,2023年Q4 DRAM產(chǎn)出僅占2023年Q1的七成左右。

　　據(jù)了解,2024年Q1 DRAM整體產(chǎn)能供應(yīng)仍然偏向節(jié)制謹(jǐn)慎,未來供應(yīng)商將會持續(xù)減產(chǎn)成熟制程,并轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程技術(shù)。

　　整體而言,從行業(yè)周期角度看,海外大廠稼動(dòng)控制下存儲供需逐漸改善,主流存儲價(jià)格自2023Q3起持續(xù)回暖,并在Q4帶動(dòng)利基存儲價(jià)格觸底回升,去年8月末起,晶圓端漲價(jià)已開始傳導(dǎo)至模組端。

　　展望后續(xù),中信證券預(yù)計(jì)12月部分緊缺且對應(yīng)下游需求復(fù)蘇較早的產(chǎn)品漲價(jià)將持續(xù)(如移動(dòng)存儲),庫存持續(xù)去化的下游環(huán)節(jié)如傳統(tǒng)服務(wù)器內(nèi)存的價(jià)格漲勢或?qū)⑾鄬Ψ啪�。隨著各原廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4、行業(yè)庫存去化、下游服務(wù)器市場復(fù)蘇,預(yù)計(jì)2024年主流DRAM價(jià)格有望持續(xù)回升。