近日,紅旗首款1700V超高壓碳化硅功率器件樣件開發(fā)成功。

可以有力解決用戶在駕乘時面臨的充電焦慮和里程焦慮問題,為未來適應“千伏”以上高壓架構落地,實現5分鐘快速補能奠定了堅實基礎。

據了解,該功率器件搭載國產先進1700V車規(guī)級超高壓碳化硅芯片,創(chuàng)新采用高介電強度封裝材料、高耐壓封裝結構等技術。

經過測試,器件工作的最高母線電壓可達1200V。

相關產品與技術可助力補能系統(tǒng)向超高壓平臺升級,極大縮短充電時間。

結合高密度元胞并聯(lián)和短溝道元胞結構設計、高通流銅夾互聯(lián)和高耐溫銀燒結工藝等先進技術,該碳化硅功率器件在超高壓平臺下可充分發(fā)揮低損耗與高電流輸出綜合性能優(yōu)勢。

有效提升動力系統(tǒng)的功率密度和效率,能夠在高壓、高溫下穩(wěn)定高效運行,為用戶帶來澎湃強勁的駕駛體驗同時,也可最大程度節(jié)約整車電耗,提升續(xù)駛里程。

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