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　　閘流管是在陰極－陽極之間有一個(gè)或多個(gè)柵極、具有控制特性的熱陰極充氣管。

　　1、要有一定的預(yù)熱時(shí)間。
　　2、閘流管燈絲電壓要求穩(wěn)定。
　　3、氫氣要保證。
　　4、保證閘流管柵極電壓的脈寬、幅度等參數(shù)符合要求。
　　5、閘流管需保持良好的通風(fēng)散熱狀態(tài)。
　　6、隨時(shí)監(jiān)測(cè)閘流管工作時(shí)產(chǎn)生的聲音和弧光。

　　柵極加上正向電壓后,陰極發(fā)射出的電子便在電場(chǎng)的作用下向柵極運(yùn)動(dòng)。在運(yùn)動(dòng)過程中,電子不斷與氣體分子相碰撞,使部分氣體分子電離,形成新的電子和離子。新的電子也向柵極運(yùn)動(dòng),又會(huì)出現(xiàn)新的電離； 而離子向陰極運(yùn)動(dòng)在適當(dāng)?shù)臈l件下就能在極短的時(shí)間內(nèi)發(fā)生“雪崩式”過程,在陰極－柵極間形成等離子區(qū)(見氣體放電)。這時(shí),如陽極具有足夠高的正向電壓,那么,在陽極電場(chǎng)的作用下,等離子區(qū)里的部分電子將得到加速,在陽極－柵極空間使氣體分子電離。極－柵極間的等離子區(qū)迅速擴(kuò)展到陽極－柵極空間。這時(shí),整個(gè)閘流管導(dǎo)通,柵極失去控制能力。只有在陽極電壓降得很低,不足以維持放電電流時(shí),放電才會(huì)熄滅。管子在放電熄滅以后還要經(jīng)過一段消電離時(shí)間,待放電空間等離子區(qū)消失后,柵極才能恢復(fù)原來的控制功能,準(zhǔn)備下一次工作。
　　靜電控制閘流管的柵極加負(fù)偏壓,信號(hào)電壓加上后,陰極發(fā)射的部分電子穿過柵極進(jìn)入陽極－柵極空間,在陽極電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生“雪崩式”放電,使閘流管導(dǎo)通。

　　閘流管在工作一段時(shí)間以后,由于靜電吸附作用,將有一些灰塵粘在管外壁上,對(duì)玻璃管而言,可以用紗布蘸純度高的酒精液擦拭；對(duì)陶瓷管而言,需用干的絲綢布來擦拭,最好不要用酒精。千萬不能用水！

　　閘流管一般作為調(diào)制器的開關(guān)元件。在核聚變、加速器、激光、等離子體研究、航天、醫(yī)學(xué)等方面都有廣泛的應(yīng)用。

　　1、為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅）,必須有門極電流≧IGT ,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL 。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮。
　　2、要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）,負(fù)載電流必須 　　3、設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí),只要有可能,就要避開3+象限（WT2-,G+）。
　　4、為減少雜波吸收,門極連線長(zhǎng)度降至最低。返回線直接連至 MT1（或陰極）。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和 MT1 間加電阻 1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用 H 系列低靈敏度雙向可控硅。
　　5、若 dVD/dt或 dVCOM/dt可能引起問題,在 MT1 和MT2 間加入 RC 緩沖電路。若高 dICOM/dt可能引起問題,加入一幾 mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。
　　6、假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感,以限制dIT/dt；用 MOV 跨接于電源,并在電源側(cè)增加濾波電路。
　　7、選用好的門極觸發(fā)電路,避開 3+象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的 dIT/dt 承受能力。
　　8、若雙向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出,負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。
　　9、器件固定到散熱器時(shí),避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
　　10、為了長(zhǎng)期可靠工作,應(yīng)保證 Rth j-a 足夠低,維持 Tj 不高于 Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。