HBM 負(fù)責(zé)人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當(dāng)前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平,行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過程,最早在 2026 年推出他們的 HBM4E 內(nèi)存,相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。
除了HBM4E外,據(jù)IT之家此前報道,有消息稱 SK 海力士計劃在2025年下半年推出采用12層DRAM堆疊的首批HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊HBM稍晚于2026年推出。
HBM4 / HBM4E的開發(fā)“加速過程”無疑顯示了AI領(lǐng)域巨頭對高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求,日益強(qiáng)大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。
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